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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MMBD2837LT1
MMBD2837LT1 PDF预览

MMBD2837LT1

更新时间： 2024-09-14 22:36:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
Monolithic Dual Switching Diodes

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MMBD2837LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.39配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

MMBD2837LT1 数据手册

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by MMBD2837LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
ANODE  
1
3
3
2
CATHODE  
ANODE  
1
2
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 9  
SOT–23 (TO–236AB)  
Peak Reverse Voltage  
V
RM  
75  
D.C. Reverse Voltage  
Peak Forward Current  
Average Rectified Current  
MMBD2837LT1  
MMBD2838LT1  
V
R
30  
50  
I
450  
300  
mAdc  
mAdc  
FM  
I
O
150  
100  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBD2837LT1 = A5; MMBD2838LT1 = MA6  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage (I  
(BR)  
= 100 µAdc)  
MMBD2837LT1  
MMBD2838LT1  
V
(BR)  
35  
75  
—
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V = 30 Vdc)  
(V = 50 Vdc)  
R
I
R
µAdc  
MMBD2837LT1  
MMBD2838LT1  
—
—
0.1  
0.1  
R
Diode Capacitance (V = 0 V, f = 1.0 MHz)  
C
V
—
4.0  
pF  
R
T
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
—
—
—
1.0  
1.0  
1.2  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 50 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time (I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) (Figure 1)  
t
rr  
—
4.0  
ns  
F
R
R(REC)  
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
REV 1  
Motorola, Inc. 1997
1234

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MMBD2837LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBD2837LT1G ONSEMI

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