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MMBD2837XL PDF预览

MMBD2837XL

更新时间： 2024-11-05 14:53:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
DIODE 0.15 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-03, 3 PIN, Signal Diode

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MMBD2837XL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.71
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最大输出电流：0.15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.35 W最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.015 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MMBD2837XL 数据手册

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MMBD2837LT1G,  
MMBD2838LT1G,  
SMMBD2837LT1G  
Monolithic Dual Switching  
Diodes  
http://onsemi.com  
Features  
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant*  
SOT−23 (TO−236AB)  
CASE 318  
STYLE 9  
ANODE  
1
3
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
2
CATHODE  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
ANODE  
Peak Reverse Voltage  
V
RM  
75  
MARKING DIAGRAM  
D.C. Reverse Voltage  
V
R
MMBD2837LT1G, SMMBD2837LT1G  
MMBD2838LT1G  
30  
50  
xxx M G  
Peak Forward Current  
I
450  
300  
mAdc  
mAdc  
FM  
G
1
Average Rectified Current  
I
150  
100  
O
xxx  
A5  
= Specific Device Code  
= MMBD2837LT1G,  
SMMBD2837LT1G  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MA6 = MMBD2838LT1G  
= Date Code*  
M
G
= Pb−Free Package  
THERMAL CHARACTERISTICS  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
(Note 1) T = 25C  
Derate above 25C  
P
D
225  
mW  
A
ORDERING INFORMATION  
1.8  
mW/C  
C/W  
†
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
Device  
Package  
Shipping  
q
JA  
556  
300  
MMBD2837LT1G  
SOT−23  
3,000 /  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
mW  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
Substrate, (Note 2) T = 25C  
A
SMMBD2837LT1G  
MMBD2838LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 /  
Tape & Reel  
Derate above 25C  
2.4  
mW/C  
C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
3,000 /  
Tape & Reel  
SOT−23  
(Pb−Free)  
417  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to +150  
C  
J
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 7  
MMBD2837LT1/D  
 
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD2837XLT1 ONSEMI

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 		DIODE 0.15 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-03, 3 PIN, Signal D
MMBD2837XLT2 ONSEMI

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 		DIODE 0.15 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-03, 3 PIN, Signal D
MMBD2837XT2 ONSEMI

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MMBD2838 WEITRON

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