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MMBD2838S62Z

更新时间： 2024-02-13 01:59:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 22K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon

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MMBD2838S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.69
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.35 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MMBD2838S62Z 数据手册

  
MMBD2838  
Connection Diagram  
3
3
3
A6.  
2
1
2
1
2
1
SOT-23  
Small Signal Diode  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
75  
V
Average Rectified Forward Current  
200  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
1.0  
2.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 microsecond  
Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
350  
357  
mW  
RθJA  
°C/W  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Max  
Units  
VR  
VF  
Breakdown Voltage  
V
75  
IR = 100 µA  
Forward Voltage  
IF = 50 mA  
IF = 100 mA  
1.0  
1.2  
V
V
IR  
Reverse Current  
nA  
VR = 50 V  
100  
4.0  
CT  
trr  
Total Capacitance  
Reverse Recovery Time  
pF  
ns  
VR = 0, f = 1.0 MHz  
IF = IR = 10 mA, IRR = 1.0 mA,  
4.0  
RL = 100 Ω  
MMBD2838, Rev. A  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
1

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与MMBD2838S62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBD2838-T1-LF WTE

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.05A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
MMBD2838X ONSEMI

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 		DIODE 0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AA, PLASTIC, CASE 318-02, 3 PIN, Signal Di
MMBD2838XL ONSEMI

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 		DIODE 0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-03, 3 PIN, Signal Di
MMBD2838XLT1 ONSEMI

获取价格

 		DIODE 0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-03, 3 PIN, Signal Di
MMBD2838XLT2 ONSEMI

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 		DIODE 0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-03, 3 PIN, Signal Di
MMBD2838XT1 ONSEMI

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 		DIODE 0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AA, PLASTIC, CASE 318-02, 3 PIN, Signal Di
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