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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MMBD2836LT1
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MMBD2836LT1

更新时间： 2024-09-12 22:46:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Monolithic Dual Switching Diodes

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MMBD2836LT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.76
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

MMBD2836LT1 数据手册

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ON Semiconductort  
MMBD2835LT1  
MMBD2836LT1  
Monolithic Dual Switching  
Diodes  
3
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
1
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
Reverse Voltage  
Forward Current  
MMBD2835LT1  
MMBD2836LT1  
V
35  
75  
Vdc  
R
CASE 318–08, STYLE 12  
SOT–23 (TO–236AB)  
I
F
100  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CATHODE  
Symbol  
Max  
Unit  
1
ANODE  
3
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
2
T
= 25°C  
A
CATHODE  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
qJA  
P
D
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
qJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
MMBD2835LT1 = A3X; MMBD2836LT1 = A2X  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage (I = 100 µAdc)  
MMBD2835LT1  
MMBD2836LT1  
V
(BR)  
35  
75  
—
—
Vdc  
R
Reverse Voltage Leakage Current (Note 3)  
I
R
—
—
nAdc  
(V = 30 Vdc)  
MMBD2835LT1  
MMBD2836LT1  
100  
100  
R
(V = 50 Vdc)  
R
Diode Capacitance (V = 0 V, f = 1.0 MHz)  
C
V
—
4.0  
pF  
R
T
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
—
—
—
1.0  
1.0  
1.2  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 50 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time (I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) (Figure 1)  
t
rr  
—
4.0  
ns  
F
R
R(REC)  
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. For each individual diode while the second diode is unbiased.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 3  
MMBD2835LT1/D  
1234

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