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MM74C921D3

更新时间: 2024-09-14 21:10:47
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德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 48K
描述
IC,SRAM,256X4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC

MM74C921D3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:325 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T18JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:18
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MM74C921D3 数据手册

  

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