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MM74C910

更新时间: 2024-09-09 11:58:15
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德州仪器 - TI 存储
页数 文件大小 规格书
10页 394K
描述
256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

MM74C910 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最长访问时间:700 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XDIP-T18
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:18
字数:64 words字数代码:64
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0003 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.0003 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MM74C910 数据手册

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MM54C910,MM74C910  
MM54C910 MM74C910 256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory  
Literature Number: SNOS343A  

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