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MM74C910N

更新时间： 2024-09-09 20:06:39

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	143K
描述
IC 64 X 4 STANDARD SRAM, 700 ns, PDIP18, DIP-18, Static RAM

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MM74C910N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP18,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	8.75	最长访问时间：	700 ns
其他特性：	INPUT ADDRESS REGISTER	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDIP-T18	JESD-609代码：	e0
长度：	21.78 mm	内存密度：	256 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	18	字数：	64 words
字数代码：	64	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64X4	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP18,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	子类别：	SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

MM74C910N 数据手册

September 1989

MM54C910/MM74C910 256 Bit TRI-STATE

Random Access Read/Write Memory

General Description

The MM54C910/MM74C910 is a 64 word by 4-bit random

access memory. Inputs consist of six address lines, four

data input lines, a WE, and a ME line. The six address lines

are internally decoded to select one of the 64 word loca-

tions. An internal address register latches the address infor-

mation on the positive to negative transition of ME. The

TRI-STATE outputs allow for easy memory expansion.

Outputs are in the TRI-STATE (Hi-Z) condition when the

device is writing or disabled.

Features

Supply voltage range

High noise immunity

TTL compatible fan out

Input address register

Low power consumption

3.0V to 5.5V

0.45V (typ.)

1 TTL load

Address Operation: Address inputs must be stable (t

prior to the positive to negative transition of ME, and (t

)

250 nW/package (typ.)

(chip enabled or disabled)

250 ns (typ.) at 5.0V

after the positive to negative transition of ME. The address

not needed at any other time.

Fast access time

TRI-STATE outputs

High voltage inputs

Write Operation: Data is written into memory at the select-

ed address if WE goes low while ME is low. WE must be

held low for t

returns high.

and data must remain stable t after WE

Read Operation: Data is nondestructively read from

memory location by an address operation with WE held

high.

Logic Diagrams

Input Protection

TL/F/5914–2

TL/F/5914–1

TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.

1995 National Semiconductor Corporation

TL/F/5914

RRD-B30M105/Printed in U. S. A.

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MM74C910N/A+	TI	获取价格	IC,SRAM,64X4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
MM74C911	FAIRCHILD	获取价格	4-Digit Expandable Segment Display Controller
MM74C911J	NSC	获取价格	IC,LED DISPLAY DRIVER,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC
MM74C911J/A+	NSC	获取价格	IC,LED DISPLAY DRIVER,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC
MM74C911N	TI	获取价格	LED DISPLAY DRIVER, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
MM74C911N	FAIRCHILD	获取价格	LED Driver, 8-Segment, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-010, DIP-28
MM74C911N	ROCHESTER	获取价格	LED Driver, 8-Segment, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, MS-010, DIP-28
MM74C911N/A+	NSC	获取价格	IC,LED DISPLAY DRIVER,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC
MM74C911N/B+	NSC	获取价格	IC,LED DISPLAY DRIVER,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC
MM74C912	FAIRCHILD	获取价格	6-Digit BCD Display Controller/Driver

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