Datasheet > 晶体管 > IGBT> MKI50-12E7

MKI50-12E7

更新时间： 2024-09-16 03:47:59

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IXYS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
4页	130K
描述
Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

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MKI50-12E7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	MODULE-17
针数：	17	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL REGONIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	90 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-P8	元件数量：	4
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	710 ns	标称接通时间 (ton)：	130 ns
VCEsat-Max：	2.4 V	Base Number Matches：	1

MKI50-12E7 数据手册

MWI 50-12 E7

MKI 50-12 E7

I_C25

V_CES

V_{CE(sat) typ.}= 1.9 V

= 90 A

= 1200 V

IGBT Modules

Sixpack, H Bridge

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

MWI

MKI

Features

• NPT³IGBTs

IGBTs

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient for

easy paralleling

T_VJ= 25°C to 150°C

1200

- fast switching

V_GES

- short tail current for optimized

performance also in resonant circuits

• HiPerFRED^TMdiode:

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• Industry Standard Package

- solderable pins for PCB mounting

- isolated copper base plate

- UL registered, E 72873

I_CM

V_CEK

V_GE= 15 V; R_G= 22 Ω; T_VJ= 125°C

RBSOA; clamped inductive load; L = 100 µH

100

V_CES

µs

t_SC

V_CE= 900 V; V_GE= 15 V; R_G= 22 Ω; T_VJ= 125°C

SCSOA; non-repetitive

P_tot

T_C= 25°C

350

Typical Applications

Symbol

V_CE(sat)

Conditions

Characteristic Values

• MWI

- AC drives

- power supplies with power factor

correction

• MKI

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

I_C= 50 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.9

2.1

2.4

- motor control

V_GE(th)

I_CES

I_C= 2 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

. DC motor amature winding

. DC motor excitation winding

. synchronous motor excitation winding

- supply of transformer primary winding

. power supplies

V_CE= V_CES

;

V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.8 mA

0.8

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

200 nA

. welding

. X-ray

. battery charger

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

680

6.0

4.0

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 50 A

V_GE= 15 V; R_G= 22 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600 V; V_GE= 15 V; I_C= 50 A

3.8

350

R_thJC

(per IGBT)

0.35 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

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与MKI50-12E7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MKI50-12F7	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17
MKI50-12F7	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17
MKI6116LN-15	STMICROELECTRONICS	获取价格	2KX8 STANDARD SRAM, 150ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
MKI6116LN-20	STMICROELECTRONICS	获取价格	2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
MKI6116LN-25	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,PLASTIC
MKI6116LS-20	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,28PIN,PLASTIC
MKI6116LS-25	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,28PIN,PLASTIC
MKI6116N-20	STMICROELECTRONICS	获取价格	2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
MKI6116S-20	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,28PIN,PLASTIC
MKI65-06A7	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODUL-14

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