Datasheet > 晶体管 > IGBT> MKI75-06A7

MKI75-06A7

更新时间： 2024-09-15 21:55:11

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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4页	128K
描述
Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

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MKI75-06A7 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	90 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X14	元件数量：	4
端子数量：	14	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	310 ns	标称接通时间 (ton)：	100 ns
VCEsat-Max：	2.6 V	Base Number Matches：	1

MKI75-06A7 数据手册

MKI 75-06 A7

I_C25

V_CES

V_{CE(sat) typ.}= 2.1 V

= 90 A

= 600 V

IGBT Modules

H-Bridge

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

Preliminary Data

Features

IGBTs

●

NPT IGBT technology

low saturation voltage

low switching losses

switching frequency up to 30 kHz

square RBSOA, no latch up

high short circuit capability

positive temperature coefficient for

●

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

600

●

T_VJ= 25°C to 150°C

●

V_GES

●

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

easy parallelling

MOS input, voltage controlled

ultra fast free wheeling diodes

solderable pins for PCB mounting

●

RBSOA

V_GE= 15 V; R = 18 Ω; T_VJ= 125°C

I_CM= 120

V_CEK≤ V_CES

µs

●

Clamped induc^Gtive load; L = 100 µH

●

package with copper base plate

t_SC

(SCSOA)

V_CE= V_CES; V_GE= 15 V; R_G= 18 Ω; T_VJ= 125°C

non-repetitive

P_tot

T_C= 25°C

280

Advantages

●

space savings

reduced protection circuits

package designed for wave soldering

●

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

●

min.

typ. max.

Typical Applications

V_CE(sat)

I_C= 75 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

2.1

2.5

2.6

●

motor control

- DC motor armature winding

- DC motor excitation winding

- synchronous motor excitation winding

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1.5 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

V_CE= V_CES; V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.3 mA

●

0.9

supply of transformer primary winding

- power supplies

- welding

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

200 nA

- X-ray

- UPS

- battery charger

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

270

3.5

2.5

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 300 V; I_C= 75 A

V_GE= 15 V; R_G= 18 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 300V; V_GE= 15 V; I_C= 75 A

3200

190

R_thJC

(per IGBT)

0.44 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MKI75-06A7T	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
MKJ	ITT	获取价格	MKJ Series Connectors
MKJ0A1F10-26CX	ITT	获取价格	MIL Series Connector
MKJ0A2C10-26AY	ITT	获取价格	MIL Series Connector
MKJ0A2K6-7GN	ITT	获取价格	MIL Series Connector
MKJ0A2Y10-26BY	ITT	获取价格	MIL Series Connector
MKJ0A2Y15-55AN	ITT	获取价格	MIL Series Connector
MKJ0A2Y5-3CZ	ITT	获取价格	MIL Series Connector
MKJ0A2Y5-3RX	ITT	获取价格	MIL Series Connector
MKJ0A2Y7-10AX	ITT	获取价格	MIL Series Connector

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