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MKI50-12F7 PDF预览

MKI50-12F7

更新时间： 2024-09-16 21:08:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅开关功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17

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MKI50-12F7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.27其他特性：FAST SWITCHING, LOW SATURATION VOLTAGE, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：65 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X17元件数量：4
端子数量：17最高工作温度：125 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：390 ns标称接通时间 (ton)：190 ns
Base Number Matches：1

MKI50-12F7 数据手册

 浏览型号MKI50-12F7的Datasheet PDF文件第2页 
MKI 50-12F7  
Advanced Technical Information  
IC25  
VCES  
VCE(sat)typ. = 3.2 V  
= 65 A  
= 1200 V  
IGBT Modules  
H Bridge  
Short Circuit SOA Capability  
Square RBSOA  
13  
9
1
2
10  
16  
14  
11  
12  
3
4
17  
MKI  
Features  
IGBTs  
• Fast NPT IGBTs  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
- low saturation voltage  
- positive temperature coefficient for  
easy paralleling  
TVJ = 25°C to 150°C  
1200  
20  
V
- fast switching  
VGES  
V
- short tail current for optimized  
performance also in resonant circuits  
• HiPerFREDTM diode:  
IC25  
IC80  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
65  
45  
A
A
- fast reverse recovery  
- low operating forward voltage  
- low leakage current  
• Industry Standard Package  
- solderable pins for PCB mounting  
- isolated copper base plate  
- UL registered, E 72873  
ICM  
VCEK  
VGE = 15 V; RG = 13 Ω; TVJ = 125°C  
100  
VCES  
A
µs  
W
RBSOA; clamped inductive load; L = 100 µH  
tSC  
VCE = 900 V; VGE = 15 V; RG = 13 Ω; TVJ = 125°C  
SCSOA; non-repetitive  
10  
Ptot  
TC = 25°C  
350  
Typical Applications  
Symbol  
VCE(sat)  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
- motor control  
min.  
typ. max.  
. DC motor amature winding  
. DC motor excitation winding  
. synchronous motor excitation winding  
- supply of transformer primary winding  
. power supplies  
. welding  
. X-ray  
. battery charger  
IC = 50 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
3.2  
3.8  
3.8  
V
V
VGE(th)  
ICES  
IC = 2 mA; VGE = VCE  
4.5  
6.5  
V
VCE = VCES  
;
VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
0.7 mA  
mA  
2.5  
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
500 nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
130  
60  
360  
30  
6.0  
2.5  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
Inductive load, TVJ = 125°C  
VCE = 600 V; IC = 50 A  
VGE = 15 V; RG = 13 Ω  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 50 A  
3.3  
600  
nF  
nC  
RthJC  
(per IGBT)  
0.35 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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