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MJH16006 PDF预览

MJH16006

更新时间： 2024-01-23 07:55:38
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 302K
描述
POWER TRANSISTORS

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MJH16006 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.89最大集电极电流 (IC)：8 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：5
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：125 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO

MJH16006 数据手册

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by MJH16006A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
POWER TRANSISTORS  
8 AMPERES  
1 kV SWITCHMODE Series  
500 VOLTS  
150 WATTS  
These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in  
inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for  
line–operated switchmode applications.  
Typical Applications:  
Features:  
•
•
•
•
•
•
Switching Regulators  
Inverters  
Solenoids  
Relay Drivers  
Motor Controls  
Deflection Circuits  
•
•
Collector–Emitter Voltage — V = 1000 Vdc  
CEV  
Fast Turn–Off Times  
80 ns Inductive Fall Time — 100 C (Typ)  
120 ns Inductive Crossover Time — 100 C (Typ)  
800 ns Inductive Storage Time — 100 C (Typ)  
100 C Performance Specified for:  
•
Reverse–Biased SOA with Inductive Load  
Switching Times with Inductive Loads  
Saturation Voltages  
Leakage Currents  
•
•
Extended FBSOA Rating Using Ultra–fast Rectifiers  
Extremely High RBSOA Capability  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
500  
1000  
6
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CEV  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
(1)  
I
C
8
16  
— Peak  
I
CM  
CASE 340D–02  
Base Current — Continuous  
I
6
12  
Adc  
B
(1)  
— Peak  
I
BM  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
P
125  
50  
1
Watts  
C
D
@ T = 100 C  
C
Derate above T = 25 C  
W/ C  
C
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
1
Unit  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θJC  
Lead Temperature for Soldering Purposes:  
1/8″ from Case for 5 Seconds  
T
L
275  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle 10%.  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.  
REV 4  
Motorola, Inc. 1996
1234567...10

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与MJH16006相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJH16006A MOTOROLA

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 		POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 500 VOLTS 150 WATTS
MJH16006A ONSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTORS
MJH16006A NJSEMI

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 		Trans GP BJT NPN 500V 8A 3-Pin(3+Tab) SOT-93
MJH16008 ISC

获取价格

 		isc Silicon NPN Power Transistor
MJH16008 MOTOROLA

获取价格

 		8A, 450V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJH16008 NJSEMI

获取价格

 		Trans GP BJT NPN 500V 8A 3-Pin(3+Tab) SOT-93
MJH16010 NJSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTORS
MJH16010A MOTOROLA

获取价格

 		Transistor
MJH16010A NJSEMI

获取价格

 		POWER TRANSISTORS
MJH16012 MOTOROLA

获取价格

 		Transistor

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