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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJE181STU
MJE181STU PDF预览

MJE181STU

更新时间： 2024-11-02 13:11:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关音频放大器晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 1920/RAIL

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MJE181STU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.34
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：12
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MJE181STU 数据手册

 浏览型号MJE181STU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJE181STU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJE181STU的Datasheet PDF文件第4页 
MJE180/181/182  
Low Power Audio Amplifier  
Low Current High Speed Switching Applications  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : MJE180  
60  
80  
100  
V
V
V
CBO  
: MJE181  
: MJE182  
Collector-Emitter Voltage : MJE180  
40  
60  
80  
V
V
V
CEO  
: MJE181  
: MJE182  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
7
V
A
EBO  
I
3
C
I
I
6
1
A
CP  
B
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
W
W
°C  
°C  
C
a
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
12.5  
C
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max. Units  
BV  
Collector -Emitter Breakdown Voltage  
CEO  
: MJE180  
: MJE181  
: MJE182  
I
= 10mA, I = 0  
40  
60  
80  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current : MJE180  
V
V
V
V
V
V
= 60V, I = 0  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
µA  
mA  
mA  
mA  
CBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
CB  
CB  
B
: MJE181  
: MJE182  
: MJE180  
: MJE181  
: MJE182  
= 80V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
= 60V, I = 0 @ T = 150°C  
E
C
= 80V, I = 0 @ T = 150°C  
E
C
= 100V, I = 0 @ T = 150°C  
E
C
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= 7V, I = 0  
0.1  
µA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
V
= 1V, I = 100mA  
50  
30  
12  
250  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 500mA  
C
= 1V, I = 1.5A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 500mA, I = 50mA  
0.3  
0.9  
1.7  
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= 1.5A, I = 150mA  
B
= 3A, I = 600mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
I
I
= 1.5A, I = 150mA  
1.5  
2.0  
V
V
BE  
BE  
C
C
B
= 3A, I = 600mA  
B
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
V
= 1V, I = 500mA  
1.2  
V
CE  
CE  
CB  
C
f
= 10V, I = 100mA  
50  
MHz  
pF  
T
C
C
= 10V, I = 0, f = 0.1MHz  
E
30  
ob  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, February 2001  
1234

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MJE181STU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSE181STU FAIRCHILD

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE181STU ONSEMI

功能相似

 3.0 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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