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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJ15001G
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MJ15001G

更新时间： 2024-09-12 04:15:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 72K
描述
Complementary Silicon Power Transistors

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MJ15001G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-3包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：1.4外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

MJ15001G 数据手册

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MJ15001 (NPN),  
MJ15002 (PNP)  
Complementary Silicon  
Power Transistors  
The MJ15001 and MJ15002 are EpiBaset power transistors  
designed for high power audio, disk head positioners and other linear  
applications.  
http://onsemi.com  
20 AMPERE  
Features  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY SILICON  
140 VOLTS, 250 WATTS  
• High Safe Operating Area (100% Tested) − 5.0 A @ 40 V  
0.5 A @ 100 V  
• For Low Distortion Complementary Designs  
• High DC Current Gain − h = 25 (Min) @ I = 4 Adc  
FE  
C
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
TO−204AA (TO−3)  
CASE 1−07  
Symbol  
Value  
140  
Unit  
Vdc  
Vdc  
STYLE 1  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
140  
Emitter−Base Voltage  
5
15  
5
Vdc  
Adc  
Adc  
Adc  
Collector Current − Continuous  
Base Current − Continuous  
Emitter Current − Continuous  
I
MARKING DIAGRAM  
C
I
I
B
E
20  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
200  
1.14  
W
W/°C  
C
D
Derate above 25°C  
MJ1500xG  
AYYWW  
MEX  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +200  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
0.875  
°C/W  
q
JC  
MJ1500x = Device Code  
x = 1 or 2  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes 1/16″ from Case for v 10 secs  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
T
265  
°C  
L
G
A
YY  
WW  
MEX  
= Pb−Free Package  
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
= Country of Orgin  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
MJ15001  
TO−204AA  
100 Units/Tray  
100 Units/Tray  
MJ15001G  
TO−204AA  
(Pb−Free)  
MJ15002  
TO−204AA  
100 Units/Tray  
100 Units/Tray  
MJ15002G  
TO−204AA  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
December, 2005 − Rev. 4  
MJ15001/D  
1234

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