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MJ-13100

更新时间: 2024-11-14 18:53:03
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NJSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
Power Bipolar Transistor, 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

MJ-13100 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):8
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MJ-13100 数据手册

  

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