生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 4.73 |
最大集电极电流 (IC): | 20 A | 集电极-发射极最大电压: | 400 V |
配置: | SINGLE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MJ-13332 | NJSEMI |
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NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS | |
MJ13333 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor | |
MJ13333 | MOTOROLA |
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20 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS 400-500 VOLTS 175 WATTS | |
MJ13333 | ONSEMI |
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS | |
MJ13333 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 400V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA | |
MJ-13333 | NJSEMI |
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NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS | |
MJ13334 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor | |
MJ13334 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 400V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA | |
MJ-13334 | NJSEMI |
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NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS | |
MJ13335 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |