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MJ13333

更新时间： 2024-11-13 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 281K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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MJ13333 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.55
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：175 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

MJ13333 数据手册

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by MJ13333/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
20 AMPERE  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTORS  
400–500 VOLTS  
175 WATTS  
The MJ13333 transistor is designed for high voltage, high–speed, power switching  
in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for line operated  
switchmode applications such as:  
•
•
•
•
•
Switching Regulators  
Inverters  
Solenoid and Relay Drivers  
Motor Controls  
Deflection Circuits  
Fast Turn Off Times  
200 ns Inductive Fall Time — 25 C (Typ)  
1.8 µs Inductive Storage Time — 25 C (Typ)  
Operating Temperature Range –65 to +200 C  
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
100 C Performance Specified for:  
Reversed Biased SOA with Inductive Loads  
Switching Times with Inductive Loads  
Saturation Voltages  
Leakage Currents  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
400  
700  
6.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter voltage  
Emitter Base Voltage  
V
CEO  
V
CEV  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak (1)  
I
C
20  
30  
I
CM  
Base Current — Continuous  
Peak (1)  
I
10  
15  
Adc  
B
I
BM  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
P
175  
100  
1.0  
Watts  
C
D
@ T = 100 C  
C
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
J
–65 to +200  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
1.0  
Unit  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θJC  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle 10%.  
T
L
275  
(1) Similar device types available with lower V  
ratings, see the MJ13330 (200 V) and MJ13331 (250 V).  
CEO  
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJ-13333 NJSEMI

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 		NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
MJ13334 ISC

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MJ13334 NJSEMI

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MJ-13336 NJSEMI

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 		NPN & PNP HIGH VOLTAGE SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
MJ1333FE-R52 OHMITE

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 		RES 133K OHM 1/8W 1% AXIAL
MJ1-3510-SMT CUI

获取价格

 		3.5 mm, Mono, Right Angle, Surface Mount (SMT), Audio Jack Connector
MJ1370FE-R52 OHMITE

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 		RES 137 OHM 1/8W 1% AXIAL

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