MJ14003

更新时间： 2024-11-13 22:33:27

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
60 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 60-80 VOLTS 300 WATTS

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MJ14003 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MJ14003 数据手册

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by MJ14001/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

. . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications,

•

High Current Capability — I Continuous = 60 Amperes

DC Current Gain — h

= 15–100 @ I = 50 Adc

*Motorola Preferred Device

Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

= 2.5 Vdc (Max) @ I = 50 Adc

60 AMPERES

COMPLEMENTARY

SILICON

POWER TRANSITORS

60–80 VOLTS

CE(sat)

MAXIMUM RATINGS

Rating

MJ14002

MJ14003

Symbol

Unit

MJ14001

300 WATTS

Collector–Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Vdc

Adc

CEO

CBO

EBO

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Base Current — Continuous

Emitter Current — Continuous

Total Power Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

300

Watts

W/ C

CASE 197A–05

TO–204AE (TO–3)

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.584

C/W

θJC

360

330

270

210

150

120

160

200

240

, CASE TEMPERATURE (

Figure 1. Power Derating

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 2

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MJ1440	DYNEX	获取价格	Digital Transmission Interface, CEPT PCM-30/E-1, MOS, CDIP16