是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.75 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 最小击穿电压: | 120 V |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.82 V | JEDEC-95代码: | TO-277 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F3 | 最大非重复峰值正向电流: | 160 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 10 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 120 V | 最大反向电流: | 400 µA |
反向测试电压: | 120 V | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MGBR10L120L-T27-R | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR10L150 | UTC |
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MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR10L150C | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR10L150CG-TA3-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR10L150CG-TF3-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR10L150CG-TF3T-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR10L150CL-TA3-T | UTC |
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MGBR10L150CL-TF3-T | UTC |
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MGBR10L150CL-TF3T-T | UTC |
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DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER | |
MGBR10L150G-T27-R | UTC |
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MOS GATED BARRIER RECTIFIER |