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MGBR10L200G-TF3-R

更新时间: 2024-01-27 02:55:46
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友顺 - UTC 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 157K
描述
Low forward voltage drop

MGBR10L200G-TF3-R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TO-220F, 3 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69应用:GENERAL PURPOSE
最小击穿电压:200 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.86 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:180 A元件数量:1
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:100 µA反向测试电压:200 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MGBR10L200G-TF3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
MGBR10L200  
Preliminary  
DIODE  
MOS GATED BARRIER  
RECTIFIER  
DESCRIPTION  
The UTC MGBR10L200 is a surface mount mos gatedbarrier  
rectifier,it uses UTC’s advanced technology to provide customers  
withlow forward voltage drop and high switching speed, etc.  
FEATURES  
* Low forward voltage drop  
* High switching speed  
SYMBOL  
ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Package  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
1
2
K
K
3
MGBR10L200L-TA3-T  
MGBR10L200L-TF3-R  
MGBR10L200G-TA3-T  
MGBR10L200G-TF3-R  
TO-220  
A
A
A
A
Tube  
TO-220F  
Tape Reel  
Note: Pin Assignment: A: Anode K: Common Cathode  
MARKING  
www.unisonic.com.tw  
1 of 3  
Copyright © 2016 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R204-077 .a  

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