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MGBR10L150L-T27-R

更新时间： 2024-01-02 02:18:45

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友顺 - UTC		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	129K
描述
MOS GATED BARRIER RECTIFIER

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MGBR10L150L-T27-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
应用：	GENERAL PURPOSE	最小击穿电压：	150 V
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	JEDEC-95代码：	TO-277
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	150 V	最大反向电流：	200 µA
反向测试电压：	150 V	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MGBR10L150L-T27-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

MGBR10L150

Preliminary

DIODE

MOS GATED BARRIER

RECTIFIER



DESCRIPTION

The UTC MGBR10L150 is a surface mount mos gated

barrier rectifier, it uses UTC’s advanced technology to provide

customers with low forward voltage drop and high switching

speed, etc.



FEATURES

* Low forward voltage drop

* High switching speed



SYMBOL

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-277

Packing

Tape Reel

Lead Free

Halogen Free

MGBR10L150G-T27-R

MGBR10L150L-T27-R

Note: Pin Assignment: A: Anode K: Common Cathode



MARKING

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R202-049.a

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与MGBR10L150L-T27-R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MGBR10L200	UTC	获取价格	barrier rectifier
MGBR10L200C	UTC	获取价格	DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER
MGBR10L200CG-TA3-T	UTC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
MGBR10L200CL-TA3-T	UTC	获取价格	DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIER
MGBR10L200G-TA3-T	UTC	获取价格	Low forward voltage drop
MGBR10L200G-TF3-R	UTC	获取价格	Low forward voltage drop
MGBR10L200L-TA3-T	UTC	获取价格	Low forward voltage drop
MGBR10L200L-TF3-R	UTC	获取价格	Low forward voltage drop
MGBR10L30	UTC	获取价格	MOS GATED BARRIER RECTIFIER
MGBR10L300	UTC	获取价格	barrier rectifier