MG1005-11

更新时间： 2024-09-22 11:02:23

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美高森美 - MICROSEMI		专用微波二极管连续波
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描述
GUNN Diodes Cathode Heat Sink

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MG1005-11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-CEMW-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	CONTINUOUS WAVE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	二极管类型：	GUNN DIODE
JESD-30 代码：	O-CEMW-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	典型工作电流：	300 mA
最大工作频率：	12 GHz	最小工作频率：	8.2 GHz
标称工作电压：	10 V	最小输出功率：	0.05 W
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	MICROWAVE	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Special Purpose Diodes	表面贴装：	YES
技术：	GUNN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

MG1005-11 数据手册

GUNN Diodes

Cathode Heat Sink

MG1001 – MG1061

Discrete Frequency: Cathode Heatsink

Features

●

CW Designs to 500 mW

●

Pulsed Designs to 10 W

●

Frequency Coverage Specified from 5.9–95 GHz

●

Low Phase Noise

●

High Reliability

Applications

●

Motion Detectors

Description

●

Transmitters and Receivers

Microsemi’s GaAs Gunn diodes, epi-down (cathode

heatsink), are fabricated from epitaxial layers grown at

MSC by the Vapor Phase Epitaxy technique. The layers

are processed using proprietary techniques resulting in

low phase and 1/f noise. MDT Gunn diodes are

available in a variety of microwave ceramic packages

are available for operation from 5–110 GHz.

●

Beacons

●

Automotive Collision Avoidance Radars

●

Radars

●

Radiometers

●

Instrumentation

Microsemi

Rev: 2009-01-19

Page 1

Microwave Products

75 Technology Drive, Lowell, MA. 01851, 978-442-5600, Fax: 978-937-3748

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