5秒后页面跳转
MEO300-06DA PDF预览

MEO300-06DA

更新时间: 2024-09-20 21:09:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 117K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 305A, 600V V(RRM), Silicon,

MEO300-06DA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PUFM-X2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.46 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X2最大非重复峰值正向电流:2400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:305 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向恢复时间:0.15 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

MEO300-06DA 数据手册

  

与MEO300-06DA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MEO450-12DA IXYS

获取价格

Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Module
MEO500-06DA IXYS

获取价格

Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Module
MEO550-02DA IXYS

获取价格

Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Module
MEO550-02DA LITTELFUSE

获取价格

快速单二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复
MEP4435Q8 CYSTEKEC

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
MEP4435Q8_14 CYSTEKEC

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
MEP4435Q8-0-T3-G CYSTEKEC

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
MEPA-11M0-B MSYSTEM

获取价格

Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
MEPA-11M0-B/Q MSYSTEM

获取价格

Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
MEPA-11M0-C MSYSTEM

获取价格

Plug-in Signal Conditioners M-UNIT