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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MDD44-16N1B
MDD44-16N1B PDF预览

MDD44-16N1B

更新时间： 2024-11-17 21:54:31
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IXYS 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 128K
描述
DIODE MODULES

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MDD44-16N1B 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-240AA包装说明：R-XUFM-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：4.28Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.6 V
JEDEC-95代码：TO-240AAJESD-30 代码：R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：1150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：59 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MDD44-16N1B 数据手册

 浏览型号MDD44-16N1B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MDD44-16N1B的Datasheet PDF文件第3页 
MDD 44  
IFRMS = 2x 100 A  
Diode Modules  
IFAVM = 2x 64 A  
VRRM = 800-1800 V  
3
1
2
3
TO-240 AA  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
2
900  
1300  
1500  
1700  
1900  
800  
1200  
1400  
1600  
1800  
MDD 44-08N1 B  
MDD 44-12N1 B  
MDD 44-14N1 B  
MDD 44-16N1 B  
MDD 44-18N1 B  
Features  
●
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
International standard package  
JEDEC TO-240 AA  
Direct copper bonded Al2O3 -ceramic  
base plate  
Planar passivated chips  
Isolation voltage 3600 V~  
UL registered, E 72873  
IFRMS  
IFAVM  
TVJ = TVJM  
TC = 92°C; 180° sine  
TC = 100°C; 180° sine  
100  
64  
59  
A
A
A
●
IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1150  
1300  
A
A
●
●
●
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1000  
1200  
A
A
òi2dt  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
6600  
7000  
A2s  
Applications  
A2s  
●
Supplies for DC power equipment  
DC supply for PWM inverter  
Field supply for DC motors  
Battery DC power supplies  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
5000  
5950  
A2s  
A2s  
●
●
●
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
Advantages  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
●
●
●
Space and weight savings  
Simple mounting  
Improved temperature and power  
cycling  
IISOL £ 1 mA  
Md  
Mounting torque (M5)  
Terminal connection torque (M5)  
2.5-4/22-35 Nm/lb.in.  
2.5-4/22-35 Nm/lb.in.  
●
Reduced protection circuits  
Weight  
Typical including screws  
90  
g
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
TVJ = TVJM; VR = VRRM  
10 mA  
VF  
IF = 200 A; TVJ = 25°C  
1.60  
V
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.8  
4.3 mW  
V
QS  
IRM  
TVJ = 125°C; IF = 50 A, -di/dt = 0.64 A/ms  
90  
11  
mC  
A
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
per diode; DC current  
per module  
0.59 K/W  
0.295 K/W  
0.79 K/W  
0.395 K/W  
other values  
see Fig. 6/7  
RthJK  
dS  
dA  
a
Creepage distance on surface  
Strike distance through air  
Maximum allowable acceleration  
12.7 mm  
9.6 mm  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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MDD44-16N1B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MDD44-08N1B IXYS

完全替代

 DIODE MODULES
MDD26-12N1B IXYS

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MDD95-16N1B IXYS

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD44-18N1B IXYS

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MDD4N20Y MGCHIP

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 		N-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35(ohm)
MDD4N25 MGCHIP

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 		N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0ohm
MDD500-12N1 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 1200V V(RRM), Silicon,
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