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力特 - LITTELFUSE | 二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 491K | |
描述 | ||
双二极管模块产品组合提供多种封装,击穿电压高达2200V。 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-240AA, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.75 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.6 V | JEDEC-95代码: | TO-240AA |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流: | 1150 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 59 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1800 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MDD4N20Y | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35(ohm) | |
MDD4N20YRH | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35(ohm) | |
MDD4N25 | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 250V, 3.0A, 1.75(ohm) | |
MDD4N25RH | MGCHIP |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 250V, 3.0A, 1.75(ohm) | |
MDD4N60 | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0ohm | |
MDD4N60RH | MGCHIP |
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N-Channel MOSFET 600V, 3.5A, 2.0ohm | |
MDD500-12N1 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 1200V V(RRM), Silicon, | |
MDD500-14N1 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 1400V V(RRM), Silicon, | |
MDD500-16N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 1600V V(RRM), Silicon, | |
MDD500-20N1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 560A, 2000V V(RRM), Silicon, |