是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 2.3 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL RECOGNISED | 最小击穿电压: | 1800 V |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.6 V |
JESD-30 代码: | R-CUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流: | 2200 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 90 A |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
最大功率耗散: | 310 W | 最大重复峰值反向电压: | 1800 V |
最大反向电流: | 500 µA | 反向测试电压: | 1800 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MSKD70-18 | MICROSEMI |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 70A, 1800V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MD1891 | RFHIC |
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Active Down Mixer | |
MD-189PIN | TE |
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High Level Termination Insensitive Mixer, 1 - 3500 MHz | |
MD-189-PIN | MACOM |
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(non-RoHS) High Level Termination Insensitive | |
MD18R1624AF0-CM8 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624AF0-CM9 | SAMSUNG |
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Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624AF0-CN9 | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
MD18R1624DF0-CK8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624DF0-CN1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624DF0-CN9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 | |
MD18R1624DF0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX36, CMOS, RIMM-232 |