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MCP87018T-U/MF

更新时间： 2024-11-26 01:18:43
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美国微芯 - MICROCHIP /
页数 文件大小 规格书
16页 719K
描述
High-Speed N-Channel Power MOSFET

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MCP87018T-U/MF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.01
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.2 W
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MCP87018T-U/MF 数据手册

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MCP87018  
High-Speed N-Channel Power MOSFET  
Features:  
Description:  
• Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON)  
)
The MCP87018 is an N-Channel power MOSFET in a  
popular PDFN 5 mm x 6 mm package. Advanced  
packaging and silicon processing technologies allow  
the MCP87018 to achieve a low QG for a given RDS(on)  
value, resulting in a low Figure of Merit (FOM).  
Combined with low RG, the low FOM of the MCP87018  
allows high-efficiency power conversion with reduced  
switching and conduction losses.  
• Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-Drain  
Charge (QGD  
)
• Low Series Gate Resistance (RG)  
• Fast Switching  
• Capable of Short Dead-Time Operation  
• RoHS Compliant  
Applications:  
• Point-of-Load DC-DC Converters  
• High-Efficiency Power Management in Servers,  
Networking and Automotive Applications  
Package Type  
PDFN 5 x 6  
8
7
6
5
S 1  
D
D
D
D
2
3
4
S
S
G
Product Summary Table: Unless otherwise indicated, T = +25°C.  
A
Parameters  
Operating Characteristics  
Sym.  
Min. Typ. Max. Units  
Conditions  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
BV  
25  
1
—
—
V
V
V
= 0V, I = 250 µA  
D
DSS  
GS  
DS  
Gate-to-Source Threshold Voltage  
Drain-to-Source On Resistance  
V
R
1.3  
1.6  
V
= V , I = 250 µA  
GS D  
GS(TH)  
DS(ON)  
—
—
—
1.8  
1.5  
2.2  
1.9  
37  
mΩ  
mΩ  
nC  
V
V
V
= 4.5V, I = 25A  
D
GS  
GS  
DS  
= 10V, I = 25A  
D
Total Gate Charge  
Q
32.5  
= 12.5V, I = 25A, V = 4.5V  
D GS  
G
Gate-to-Drain Charge  
Series Gate Resistance  
Q
—
—
13  
—
—
nC  
V
= 12.5V, I = 25A  
DS D  
GD  
R
1.5  
Ω
—
G
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance Junction-to-X  
R
—
—
—
—
55  
°C/W Note 1  
°C/W Note 2  
θJX  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
R
1.0  
θJC  
Note 1:  
2:  
R
is determined with the device surface mounted on a 4-Layer FR4 PCB, with a 1" x 1" mounting pad of 2 oz.  
θJX  
copper. This characteristic is dependent on user’s board design.  
is determined using JEDEC 51-14 Method. This characteristic is determined by design.  
R
θJC  
2013 Microchip Technology Inc.  
DS20002329B-page 1  
1234567...16

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