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MCMA110PD1800TB

更新时间： 2024-02-23 09:11:12

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	398K
描述
晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

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MCMA110PD1800TB 数据手册

MCMA110PD1800TB

Ratings

Rectifier

Symbol

V_RSM/DSM

Definition

Conditions

min. typ. max. Unit

T_VJ= 25°C

T_VJ= 140°C

T_VJ= 25°C

1900

1800

100

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

V_RRM/DRM

I_R/D

V_R/D=1800 V

I_T= 110 A

I_T= 220 A

I_T= 110 A

I_T= 220 A

T_C= 85°C

180° sine

µA

reverse current, drain current

10 mA

forward voltage drop

1.24

V_T

1.52

1.21

1.57

110

T_VJ

°C

125

average forward current

RMS forward current

T_VJ= 140°C

I_TAV

I_T(RMS)

V_T0

170

0.85

threshold voltage

for power loss calculation only

slope resistance

3.3 mΩ

0.3 K/W

K/W

r_T

R_thJC

R_thCH

P_tot

thermal resistance junction to case

thermal resistance case to heatsink

0.2

T_C= 25°C

T_VJ= 45°C

V_R= 0 V

380

1.90

2.05

1.62

1.75

total power dissipation

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

V_R= 400V f = 1 MHz

t_P= 30 µs

I_TSM

T_VJ= 140°C

V_R= 0 V

value for fusing

T_VJ= 45°C

V_R= 0 V

I²t

18.1 kA²s

17.5 kA²s

13.0 kA²s

12.7 kA²s

T_VJ= 140°C

V_R= 0 V

junction capacitance

T_VJ= 25°C

T_C= 140°C

C_J

P_GM

max. gate power dissipation

t_P= 300 µs

0.5

P_GAV

average gate power dissipation

critical rate of rise of current

T_VJ= 140°C; f = 50 Hz

repetitive, I_T= 330 A

150 A/µs

(di/dt)_cr

0.45

t_P= 200 µs;di_G/dt =

A/µs;

I_G= 0.45A; V = ⅔ V_DRM

V = ⅔ V_DRM

non-repet., I_T= 110 A

T_VJ= 140°C

500 A/µs

critical rate of rise of voltage

gate trigger voltage

1000 V/µs

(dv/dt)_cr

V_GT

R_GK= ∞; method 1 (linear voltage rise)

V_D= 6 V

T_VJ= 25°C

T_VJ= -40°C

T_VJ= 25°C

T_VJ= -40°C

T_VJ= 140°C

1.5

1.6

gate trigger current

V_D= 6 V

150 mA

200 mA

I_GT

gate non-trigger voltage

gate non-trigger current

latching current

V_D= ⅔ V_DRM

0.2

V_GD

I_GD

I_L

10 mA

t_p= 10 µs

T_VJ= 25°C

200 mA

I_G= 0.45A; di_G/dt = 0.45 A/µs

V_D= 6 V R_GK= ∞

holding current

T_VJ= 25°C

200 mA

I_H

gate controlled delay time

V_D= ½ V

µs

t_gd

DRM

I_G= 0.45A; di_G/dt = 0.45 A/µs

turn-off time

V_R= 100 V; I_T= 110A; V = ⅔ V_DRMT_VJ=125 °C

di/dt = 10 A/µs dv/dt = 20 V/µs µs

185

µs

t_q

t_p= 200

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20191205c

123 4 5

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MCMA140P1200TA	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCMA140P1400TA	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCMA140P1600TA	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCMA140P1800TA	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 140000mA I(T), 1800V V(RRM),
MCMA140P1800TA	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 140000mA I(T), 1800V V(RRM),
MCMA140PD1200TB	LITTELFUSE	获取价格	晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
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