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MCMA110PD1800TB

更新时间： 2024-02-23 09:11:12

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力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	398K
描述
晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

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MCMA110PD1800TB 数据手册

MCMA110PD1800TB

Thyristor

300

10⁵

V_R= 0 V

50 Hz, 80% V_RRM

250

1600

200

I_T

I²t

I_TSM

1200

[A]

T_VJ= 45°C

150

10⁴

T_VJ= 45°C

T_VJ= 125°C

140°C

[A]

100

[A²s]

T_VJ= 140°C

800

T_VJ= 25°C

10³

0.5

1.0

1.5

2.0

0.01

0.1

5 6 7 8 910

V_T[V]

t [s]

t [ms]

Fig. 3 I²t versus time (1-10 s)

Fig. 2 Surge overload current

I_TSM: crest value, t: duration

Fig. 1 Forward characteristics

100.0

10.0

200

1: I

, T = 140°C

GD VJ

2: I , T

GT VJ

= 25°C

3: I , T = -40°C

GT VJ

dc =

0.5

0.4

160

120

T_VJ= 25°C

0.33

0.17

0.08

V_G

t_gd

I_TAVM

[V]

lim.

typ.

[µs]

[A]

1.0

4: P

= 0.5 W

GAV

5: P

6: P

5 W

= 10 W

0.1

100

1000 10000

0.01

0.10

1.00

I_G[A]

10.00

120

160

I_G[mA]

T_case[°C]

Fig. 6 Max. forward current at

case temperature

Fig. 5 Gate controlled delay time t_gd

Fig. 4 Gate voltage & gate current

0.32

180

150

dc =

R_thHA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

2.0

0.24

P_tot

0.5

120 0.4

0.33

Z_thJC

0.16

[K/W]

[W]

0.17

0.08

R_thi(K/W)

t_i(s)

0.0073

0.0128

0.1779

0.1020

0.0001

0.0031

0.1000

0.4400

0.08

0.00

100

t [ms]

Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case

1000

10000

120

T_amb[°C]

120

160

I_T(AV)[A]

Fig. 7a Power dissipation versus direct output current

Fig. 7b and ambient temperature

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20191205c

1 2 3 45

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