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MCMA110PD1800TB

更新时间: 2024-02-23 09:11:12
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力特 - LITTELFUSE 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 398K
描述
晶闸管二极管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

MCMA110PD1800TB 数据手册

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MCMA110PD1800TB  
Thyristor  
300  
105  
VR = 0 V  
50 Hz, 80% VRRM  
250  
1600  
200  
IT  
I2t  
ITSM  
1200  
[A]  
TVJ = 45°C  
150  
104  
TVJ = 45°C  
TVJ = 125°C  
140°C  
[A]  
100  
[A2s]  
TVJ = 140°C  
TVJ = 140°C  
50  
800  
TVJ = 25°C  
0
103  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0.01  
0.1  
1
1
2
3
4
5 6 7 8 910  
VT [V]  
t [s]  
t [ms]  
Fig. 3 I2t versus time (1-10 s)  
Fig. 2 Surge overload current  
ITSM: crest value, t: duration  
Fig. 1 Forward characteristics  
10  
100.0  
10.0  
200  
1: I  
, T = 140°C  
GD VJ  
2: I , T  
GT VJ  
= 25°C  
3: I , T = -40°C  
GT VJ  
dc =  
1
0.5  
0.4  
160  
120  
6
5
TVJ = 25°C  
4
3
2
0.33  
0.17  
0.08  
VG  
tgd  
ITAVM  
1
1
[V]  
lim.  
typ.  
[µs]  
80  
40  
0
[A]  
1.0  
4: P  
= 0.5 W  
GAV  
GM  
5: P  
6: P  
=
5 W  
= 10 W  
GM  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
1000 10000  
0.01  
0.10  
1.00  
IG [A]  
10.00  
0
40  
80  
120  
160  
IG [mA]  
Tcase [°C]  
Fig. 6 Max. forward current at  
case temperature  
Fig. 5 Gate controlled delay time tgd  
Fig. 4 Gate voltage & gate current  
0.32  
180  
150  
dc =  
1
RthHA  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
2.0  
0.24  
Ptot  
0.5  
120 0.4  
0.33  
ZthJC  
0.16  
[K/W]  
[W]  
0.17  
0.08  
90  
60  
30  
0
i
Rthi (K/W)  
ti (s)  
1
2
3
4
0.0073  
0.0128  
0.1779  
0.1020  
0.0001  
0.0031  
0.1000  
0.4400  
0.08  
0.00  
1
10  
100  
t [ms]  
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case  
1000  
10000  
0
40  
80  
120  
0
40  
80  
Tamb [°C]  
120  
160  
IT(AV) [A]  
Fig. 7a Power dissipation versus direct output current  
Fig. 7b and ambient temperature  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20191205c  
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