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MCM69F618TQ8

更新时间: 2024-09-19 14:36:43
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摩托罗拉 - MOTOROLA 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 545K
描述
Cache SRAM, 64KX18, 8ns, BICMOS, PQFP100, TQFP-100

MCM69F618TQ8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:LQFP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.76
Is Samacsys:N最长访问时间:8 ns
其他特性:TEMP TJ = 20 TO 110 DEG C; SELF-TIMED WRITE; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCEJESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:100字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:64KX18输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:BICMOS端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

MCM69F618TQ8 数据手册

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