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MCM69F618ZP8

更新时间: 2024-11-08 14:53:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 593K
描述
Cache SRAM, 64KX18, 8ns, BICMOS, PBGA119, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

MCM69F618ZP8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84最长访问时间:8 ns
其他特性:TEMP TJ = 20 TO 110 DEG C; SELF-TIMED WRITE; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCEI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e0
长度:22 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:119字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
组织:64KX18输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA119,7X17,50
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.4 mm最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.275 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

MCM69F618ZP8 数据手册

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