5秒后页面跳转
MCM6147P70D PDF预览

MCM6147P70D

更新时间: 2024-09-17 20:38:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 194K
描述
Standard SRAM, 4KX1, 70ns, CMOS, PDIP18

MCM6147P70D 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:18字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V最大待机电流:0.0008 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MCM6147P70D 数据手册

 浏览型号MCM6147P70D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MCM6147P70D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MCM6147P70D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MCM6147P70D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MCM6147P70D的Datasheet PDF文件第6页 
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

与MCM6147P70D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCM6147P70DS MOTOROLA

获取价格

Standard SRAM, 4KX1, 70ns, CMOS, PDIP18
MCM6164C45 MOTOROLA

获取价格

8KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
MCM6164C55 MOTOROLA

获取价格

8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
MCM6164CC55 MOTOROLA

获取价格

8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
MCM6164CC70 MOTOROLA

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
MCM6164FT45 MOTOROLA

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDSO28
MCM6164P45D MOTOROLA

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28
MCM6164P45DS MOTOROLA

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28
MCM6164P45S MOTOROLA

获取价格

IC,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC
MCM6164P55 MOTOROLA

获取价格

Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28