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MCM61L47AP70

更新时间: 2024-11-06 22:22:31
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摩托罗拉 - MOTOROLA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
4K BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY

MCM61L47AP70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0长度:22.73 mm
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:18字数:512 words
字数代码:512工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512X8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.57 mm最大待机电流:0.00004 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

MCM61L47AP70 数据手册

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