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MCM6164CC70

更新时间： 2024-11-07 20:54:35

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	377K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28

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MCM6164CC70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	37.145 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.84 mm
最大待机电流：	0.001 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM6164FT45	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDSO28
MCM6164P45D	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28
MCM6164P45DS	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28
MCM6164P45S	MOTOROLA	获取价格	IC,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC
MCM6164P55	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28
MCM6164P55D	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28
MCM6164P55DS	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28
MCM6164P70	MOTOROLA	获取价格	IC,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC
MCM6164P70S	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28
MCM6168P45	ETC	获取价格	x4 SRAM