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MCH3333A-TL-W

更新时间： 2024-02-26 09:27:26
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安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 491K
描述
Single P-Channel Power MOSFET

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MCH3333A-TL-W 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：1.49
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.215 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.9 W表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MCH3333A-TL-W 数据手册

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MCH3333A  
Power MOSFET  
–30V, 215mΩ, –2.0A, Single P-Channel  
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench  
technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low  
on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge  
driving or low on resistance requirements.  
www.onsemi.com  
Features  
• Low On-Resistance  
• 1.8V drive  
• ESD Diode-Protected Gate  
• Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance  
V
R
(on) Max  
I
D Max  
DSS  
DS  
215mΩ@ −4V  
280mΩ@ −2.5V  
430mΩ@ −1.8V  
−30V  
−2A  
Typical Applications  
• Load Switch  
ELECTRICAL CONNECTION  
P-Channel  
SPECIFICATIONS  
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATING at Ta = 25°C (Note 1)  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
V
−30  
10  
DSS  
GSS  
V
1
1 : Gate  
2 : Source  
3 : Drain  
I
−2.0  
A
D
Drain Current (Pulse)  
I
−8.0  
A
DP  
PW ≤ 10μs, duty cycle ≤ 1%  
2
Power Dissipation  
When mounted on ceramic substrate  
(1000mm2  
× 0.8mm)  
P
0.9  
W
D
PACKING TYPE : TL  
MARKING  
Junction Temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage Temperature  
Tstg  
−55 to +150  
QU  
Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage  
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not  
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
TL  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping  
information on page 5 of this data sheet.  
Parameter  
Junction to Ambient  
When mounted on ceramic substrate  
(1000mm2  
0.8mm)  
Symbol  
Value  
138.8  
Unit  
R
θJA  
°C/W  
×
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
June 2015 - Rev. 1  
1
Publication Order Number :  
MCH3333A/D  
12345

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MCH3333A-TL-W 替代型号

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