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MC5612E3

更新时间: 2024-10-15 15:40:59
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 258K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.53A, 2500V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, S PACKAGE-2

MC5612E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, S PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.7
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.53 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:2500 V最大反向恢复时间:0.3 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

MC5612E3 数据手册

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