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MC5616E3

更新时间: 2024-10-15 14:53:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 258K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.57A, 3000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, S PACKAGE-2

MC5616E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, S PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.43
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.57 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:3000 V
最大反向恢复时间:0.3 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

MC5616E3 数据手册

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