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MC-4564DC726EF-A10

更新时间: 2024-09-30 14:53:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 752K
描述
MEMORY MODULE,SDRAM,64MX72,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC

MC-4564DC726EF-A10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168内存密度:4831838208 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:72
端子数量:168字数:67108864 words
字数代码:64000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.058 A
子类别:DRAMs最大压摆率:5.5 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MC-4564DC726EF-A10 数据手册

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