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MC-4564DC726EF-A80

更新时间： 2024-01-12 05:34:05

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	176K
描述
Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, MOS, DIMM-168

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MC-4564DC726EF-A80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX72	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-4564DC726EF-A80 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4564DC726

64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

REGISTERED TYPE

Description

The MC-4564DC726 is a 67,108,864 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 36 pieces of

128 M SDRAM: µPD45128441 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 67,108,864 words by 72 bits organization (ECC type)

• Clock frequency and Clock access time

Part number

/CAS latency

Clock frequency (MAX.)

Clock access time (MAX.)

MC-4564DC726EF-A80

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

125 MHz

100 MHz

77 MHz

6 ns

7 ns

MC-4564DC726EF-A10

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)

• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• Single 3.3 V ±0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• All DQs have 10 Ω ± 10% of series resistor

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Registered type

• Serial PD

• Stacked Module

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. M13634EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published February 1998 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

1998

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