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MC-4564EC726PFB-A80

更新时间： 2024-02-18 00:33:00

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		内存集成电路动态存储器时钟
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16页	293K
描述
64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE

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MC-4564EC726PFB-A80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	4831838208 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.116 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	4.98 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MC-4564EC726PFB-A80 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4564EC726

64 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

REGISTERED TYPE

Description

The MC-4564EC726 is a 67,108,864 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 36 pieces of

128 M SDRAM: µPD45128441 are assembled.

These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 67,108,864 words by 72 bits organization (ECC type)

• Clock frequency and access time from CLK

Part number

/CAS latency

Clock frequency

(MAX.)

Access time from CLK

(MAX.)

Module type

MC-4564EC726EFB-A80

MC-4564EC726EFB-A10

MC-4564EC726PFB-A80

MC-4564EC726PFB-A10

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

125 MHz

100 MHz

77 MHz

6 ns

7 ns

6 ns

7 ns

PC100 Registered DIMM

Rev. 1.2 Compliant

125 MHz

100 MHz

77 MHz

★

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)

• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ± 10 % of series resistor

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles / 64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Registered type

• Serial PD

• Stacked monolithic technology

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. M14460EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published February 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

1999

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MC-4564EC727	NEC	获取价格	64M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE
MC-4564EC727EF-A75	NEC	获取价格	64M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE
MC-4564EC727PF-A75	NEC	获取价格	64M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE REGISTERED TYPE
MC457A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 70V V(RRM), Silicon
MC4580	UTC	获取价格	LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
MC4580(8DIP)	UTC	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8
MC4580(8SOP)	UTC	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8
MC4580(8TSSOP)	UTC	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8
MC4580_09	UTC	获取价格	DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
MC4580_15	UTC	获取价格	DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER

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