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MC-4516CB64S-10

更新时间: 2024-01-03 04:14:14
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 697K
描述
MEMORY MODULE,SDRAM,16MX64,CMOS,DIMM,144PIN,PLASTIC

MC-4516CB64S-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:6 ns最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N144
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64端子数量:144
字数:16777216 words字数代码:16000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:2 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MC-4516CB64S-10 数据手册

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