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MC-4516CB64S-A10

更新时间： 2024-01-31 08:26:06

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	134K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, MOS, SODIMM-144

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MC-4516CB64S-A10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	,	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	MOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-4516CB64S-A10 数据手册

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516CB64S

16 M-WORD BY 64-BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)

Description

The MC-4516CB64S is a 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module (Small Outline DIMM) on

which 8 pieces of 128 M SDRAM : µPD45128841 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 64 bits organization

• Clock frequency and Clock access time

Family

/CAS Latency

Clock frequency

(MAX.)

Burst cycle time

(MIN.)

Power consumption (MAX.)

Standby

Active

(CMOS level input )

MC-4516CB64S-A80

MC-4516CB64S-A10

MC-4516CB64S-A10B

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

125 MHz

100 MHz

77 MHz

6 ns

7 ns

8 ns

7,776 mW

7,488 mW

7,200 mW

6,912 mW

6,624 mW

6,336 mW

14.4 mW

100 MHz

67 MHz

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)

• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• Single +3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 144-pin small outline dual in-line memory module (Pin pitch = 0.8 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice.

The mark • shows major revised points.

Document No. M13611EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published September 1998 NS CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7...16

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MC-4516CD641ES	NEC	获取价格	16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM
MC-4516CD641ES	ELPIDA	获取价格	16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
MC-4516CD641ES-A10	ELPIDA	获取价格	16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
MC-4516CD641ES-A10	NEC	获取价格	16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM
MC-4516CD641ES-A10L	NEC	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, MOS, 31.75 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, DIMM-144
MC-4516CD641ES-A80	NEC	获取价格	16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE SO DIMM
MC-4516CD641ES-A80	ELPIDA	获取价格	16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
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