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MC-4516CB647XFA-A75

更新时间： 2024-02-11 23:29:03

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描述
16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE

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MC-4516CB647XFA-A75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.83	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.92 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MC-4516CB647XFA-A75 数据手册

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516CB647XFA

16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

UNBUFFERED TYPE

Description

The MC-4516CB647XFA is 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces of

128M SDRAM: µPD45128841 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 64 bits organization

• Clock frequency and access time from CLK

Part number

/CAS latency

Clock frequency

(MAX.)

Access time from CLK

(MAX.)

MC-4516CB647XFA-A75

CL = 3

CL = 2

133 MHz

100 MHz

5.4 ns

6.0 ns

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable wrap sequence (sequential / interleave)

• Programmable /CAS latency (2, 3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Unbuffered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0232N20 (Ver 2.0)

Date Published June 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2001-2002

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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