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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRM5100-13-F
MBRM5100-13-F PDF预览

MBRM5100-13-F

更新时间： 2024-11-19 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线高压功效
页数 文件大小 规格书
3页 105K
描述
5A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBRM5100-13-F 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252 VARIANT, POWERMITE-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.81
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.64 V
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MBRM5100-13-F 数据手册

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MBRM5100  
5A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
POWERMITEâ3  
DESIGNS  
NEW  
FOR  
RECOMMENDED  
PDS5100  
NOT  
USE  
Features  
·
·
·
·
Guard Ring Die Construction for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Reverse Breakdown Voltage  
POWERMITEâ3  
E
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
A
Min  
4.03  
6.40  
.864  
Max  
4.09  
6.61  
.914  
Dim  
A
G
P
3
B
C
Mechanical Data  
H
J
D
1.83 NOM  
B
·
·
Case: POWERMITEâ3  
E
1.10  
.173  
5.01  
4.37  
.173  
.71  
1.14  
.203  
5.17  
4.43  
.203  
.77  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
1
2
·
·
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
M
J
D
K
K
C
C
L
Marking: See Page 3  
L
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.072 grams (approximate)  
M
P
.36  
.46  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 3, BOTTOMSIDE  
HEAT SINK  
1.73  
1.83  
All Dimensions in mm  
Note:  
Pins 1 & 2 must be electrically  
connected at the printed circuit board.  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Value  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
100  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
70  
5
V
A
Average Rectified Output Current (See also figure 5)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
@TC = 80°C  
IFSM  
100  
A
RqJC  
RqJS  
Tj  
Typical Thermal Resistance Junction to Case  
Typical Thermal Resistance Junction to Soldering Point  
Operating Temperature Range  
1.2  
°C/W  
°C/W  
°C  
2.7  
-65 to +125  
-65 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
V(BR)R  
IR = 0.2mA  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
100  
¾
¾
V
IF = 5A, Tj = 25°C  
IF = 5A, Tj = 125°C  
IF = 10A, Tj = 25°C  
IF = 10A, Tj = 125°C  
¾
¾
¾
¾
0.75  
0.58  
0.84  
0.67  
0.81  
0.64  
0.90  
0.73  
VF  
IR  
Forward Voltage  
V
Tj = 25°C, VR = 100V  
Tj = 125°C, VR = 100V  
¾
¾
0.015  
2
0.2  
100  
mA  
Peak Reverse Current (Note 1)  
Notes: 1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30141 Rev. 4 - 3  
1 of 3  
MBRM5100  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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