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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRP20045CT
MBRP20045CT PDF预览

MBRP20045CT

更新时间： 2024-11-19 04:16:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
POWERTAP II SWITCHMODE Power Rectifier

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MBRP20045CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, CASE 357C-03, POWERTAP II, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.57
Is Samacsys：N应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.89 VJESD-30 代码：R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：1500 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：100 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MBRP20045CT 数据手册

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MBRP20045CT  
Preferred Device  
POWERTAPt II  
SWITCHMODEt  
Power Rectifier  
This state−of−the−art device uses the Schottky Barrier principle  
with a platinum barrier metal.  
http://onsemi.com  
Features  
• Dual Diode Construction; May Be Paralleled for Higher Current  
Output  
• Guardring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage  
SCHOTTKY  
BARRIER RECTIFIER  
200 AMPERES, 45 VOLTS  
• 150°C Operating Junction Temperature  
• Guaranteed Reverse Avalanche  
• Pb−Free Package is Available*  
1
3
2
Mechanical Characteristics  
• Case: Epoxy, Molded with Metal Heatsink Base  
• Weight: 80 Grams (Approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant  
2
• Top Terminal Torque: 25−40 lb−in Max  
• Base Plate Torques: See Procedure Given in the Package Outline  
Section  
1
3
POWERTAP II  
MAXIMUM RATINGS  
CASE 357C  
PLASTIC  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
45  
V
RRM  
V
RWM  
MARKING DIAGRAM  
V
R
Average Rectified Forward Current  
I
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 140°C)  
Per Leg  
Per Device  
100  
200  
R
C
MCC  
AYYWWG  
B20045T  
Peak Repetitive Forward Current,  
(Rated V , Square Wave,  
I
FRM  
R
20 kHz, T = 140°C)  
Per Leg  
C
200  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load Conditions  
Halfwave, Single Phase, 60 Hz)  
I
1500  
A
A
FSM  
B20045T = Specific Device Code  
MCC  
A
YY  
WW  
G
= Mold Compound Code  
= Assembly Location  
= Year  
= York Week  
= Pb−Free Package  
Peak Repetitive Reverse Current  
(2.0 ms, 1.0 kHz)  
I
RRM  
Per Leg  
2.0  
Storage Temperature Range  
T
−55 to +150  
−55 to +150  
10,000  
°C  
°C  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
ORDERING INFORMATION  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
dv/dt  
V/ms  
R
Device  
MBRP20045CT  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
POWERTAP II 25 Units/Tray  
MBRP20045CTG POWERTAP II 25 Units/Tray  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
September, 2006 − Rev. 6  
MBRP20045CT/D  
1234

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MBRP20045CT 替代型号

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MBRP2045NTU ROCHESTER

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 		20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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