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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRP20060CT
MBRP20060CT PDF预览

MBRP20060CT

更新时间： 2024-01-26 11:00:20
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 194K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 200 AMPERES 60 VOLT

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MBRP20060CT 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-XUFM-X2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.91 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X2最大非重复峰值正向电流：1500 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：100 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：500 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

MBRP20060CT 数据手册

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by MBRP20060CT/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
POWERTAP II Package  
200 AMPERES  
60 VOLTS  
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon  
power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide  
passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high  
frequency switching power supplies, free wheeling diode and polarity protection  
diodes.  
•
•
•
•
Guardring for Stress Protection  
Matched dual die construction – May be Paralleled for High Current Output  
High dv/dt Capability  
1
Very Low Forward Voltage Drop  
3
2
Mechanical Characteristics:  
CASE 357C-03  
POWERTAP II  
•
•
•
•
•
•
•
Case: Epoxy, Molded with Metal Heatsink Base  
Weight: 80 grams (approximately)  
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant  
Base Plate Torques: See procedure given in the Package Outline Section  
Top Terminal Torque: 70 in–lb max.  
Shipped 25 units per foam  
Marking: MBRP20060CT  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
60  
Volts  
RRM  
RWM  
R
V
Average Rectified Forward Current  
Per Leg  
Per Package  
I
100  
200  
Amps  
Amps  
Amps  
O
(At Rated V , T = 120°C)  
R
C
Peak Repetitive Forward Current  
Per Leg  
I
200  
FRM  
(At Rated V , Square Wave, 20 kHz, T = 125°C)  
R
C
Non-Repetitive Peak Surge Current  
(Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz)  
Per Package  
I
1500  
FSM  
Storage/Operating Case Temperature  
T
T
–55 to +150  
–55 to +150  
1,000  
°C  
°C  
stg,  
C
Operating Junction Temperature  
T
J
Voltage Rate of Change (Rated V , T = 25°C)  
dv/dt  
V/µs  
R
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction–to–Case  
Per Leg  
R
0.44  
°C/W  
tjc  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (1), see Figure 2  
Per Leg  
Per Leg  
V
Volts  
mA  
T
T
= 25°C  
T
T
= 100°C  
F
J
J
(I = 100 Amps)  
F
0.80  
0.92  
0.72  
0.82  
(I = 200 Amps)  
F
Maximum Instantaneous Reverse Current, see Figure 4  
I
R
= 25°C  
= 100°C  
J
J
(V = 60 V)  
R
0.5  
0.2  
100  
50  
(V = 30 V)  
R
(1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 250 µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
POWERTAP and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.  
Motorola, Inc. 1995  
123456

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MBRP20060CT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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MBRP2045NTU FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, LEAD FR
MBRP2045NTU ROCHESTER

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 		20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN
MBRP2045NTU ONSEMI

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 		240 AMP SCHOTTKY RECTIFIER
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 		SWITCHMODE⑩ Schottky Power Rectifier(POWERTAP

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