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CPT20050

更新时间: 2024-11-01 22:28:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
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2页 152K
描述
Schottky PowerMod

CPT20050 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.74应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.8 VJESD-30 代码:R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流:2000 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:100 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

CPT20050 数据手册

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CPT20050 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CPT20045 MICROSEMI

完全替代

Schottky PowerMod
MURF20005 GENESIC

类似代替

Silicon Super Fast Recovery Diode

与CPT20050相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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