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MBRM560-13

更新时间： 2024-11-18 22:51:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
5A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBRM560-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.85其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MBRM560-13 数据手册

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MBRM560  
5A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
POWERMITEâ3  
Features  
·
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
E
POWERMITEâ3  
A
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
Low Reverse Current  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Min  
4.03  
6.40  
Max  
G
Dim  
A
P
4.09  
6.61  
3
B
C
.889 NOM  
1.83 NOM  
1.10 1.14  
.178 NOM  
H
J
·
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
B
D
E
1
2
G
H
M
5.01  
5.17  
4.43  
Mechanical Data  
·
D
K
J
4.37  
Case: POWERMITEâ3, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagram  
Marking: See Sheet 3  
Weight: 0.072 grams (approx.)  
K
.178 NOM  
C
C
L
·
L
.71  
.36  
.77  
.46  
PIN 1  
PIN 2  
·
·
·
PIN 3, BOTTOMSIDE  
HEAT SINK  
M
P
1.73  
1.83  
Note:  
Pins 1 & 2 must be electrically  
connected at the printed circuit board.  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Value  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
60  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
42  
5
V
A
Average Rectified Output Current  
(See also Figure 5)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
IFSM  
100  
A
(JEDEC Method)  
@ TC = 90°C  
RqJS  
Tj  
Typical Thermal Resistance Junction to Soldering Point  
Operating Temperature Range  
2.7  
°C/W  
°C  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
V(BR)R  
IR = 0.2mA  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
60  
¾
¾
V
IF = 5A, TJ = 25°C  
IF = 5A, TJ = 125°C  
IF = 8A, TJ = 25°C  
IF = 8A, TJ = 125°C  
¾
¾
¾
¾
0.65  
0.56  
0.74  
0.64  
0.69  
0.60  
0.78  
0.68  
VFM  
Forward Voltage (Note 1)  
Reverse Current (Note 1)  
V
mA TJ = 25°C, VR = 60V  
mA TJ = 100°C, VR = 60V  
¾
¾
2
0.6  
200  
20  
IRM  
Notes:  
1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30299 Rev. 2 - 2  
1 of 3  
MBRM560  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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MBRP1060 GOOD-ARK

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, QFN-8
MBRP1545_15 GOOD-ARK

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 		Product Specification

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