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MBRP20035L PDF预览

MBRP20035L

更新时间： 2024-01-18 20:01:07
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摩托罗拉 - MOTOROLA 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
SWITCHMODE⑩ Schottky Power Rectifirer

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MBRP20035L 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-XUFM-X1
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.57 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X1最大非重复峰值正向电流：2000 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：200 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

MBRP20035L 数据手册

 浏览型号MBRP20035L的Datasheet PDF文件第2页 
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by MBRP20035L/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
POWERTAP III Package  
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon power  
diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation  
and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching  
power supplies, free wheeling diode and polarity protection diodes.  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
200 AMPERES  
35 VOLTS  
•
•
•
•
Very Low Forward Voltage Drop  
Highly Stable Oxide Passivated Junction  
Guardring for Stress Protection  
High dv/dt Capability  
1
Mechanical Characteristics:  
•
•
•
•
•
Dual Die Construction  
Case: Epoxy, Molded with Plated Copper Heatsink Base  
Weight: 40 grams (approximately)  
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant  
Base Plate Torques: See procedure given in the  
Package Outline Section  
1
2
2
POWERTAP III  
CASE 357D–01  
•
•
•
Top Terminal Torque: 25–40 lb–in max.  
Shipped 50 units per foam  
Marking: MBRP20035L  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
35  
Volts  
RRM  
RWM  
R
V
Average Rectified Forward Current  
I
200  
400  
Amps  
Amps  
Amps  
O
(At Rated V , T = 100°C)  
R
C
Peak Repetitive Forward Current  
I
FRM  
(At Rated V , Square Wave, 20 kHz, T = 100°C)  
R
C
Non–Repetitive Peak Surge Current  
I
2000  
FSM  
(Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz)  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 µs, 1.0 kHz)  
Storage / Operating Case Temperature  
I
2.0  
Amps  
°C  
RRM  
T
stg  
, T  
55 to +150  
55 to +150  
10,000  
C
Operating Junction Temperature  
T
J
°C  
Voltage Rate of Change (Rated V , T = 25°C)  
dv/dt  
V/µs  
R
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction–to–Case  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
R
0.45  
°C/W  
Volts  
mA  
θJC  
(1)  
V
T
T
= 25°C  
T
T
= 100°C  
F
J
J
(I = 200 A)  
F
0.57  
= 25°C  
10  
0.5  
I
= 100°C  
250  
Maximum Instantaneous Reverse Current  
(V = 35 V)  
R
R
J
J
(1) Pulse Test: Pulse Width  
380 µs, Duty Cycle  
2%.  
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
POWERTAP III and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.  
Motorola, Inc. 1998  
12

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