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MBRF3050CT

更新时间： 2024-01-06 16:55:09

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TGS		二极管
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2页	449K
描述
TO-220F Plastic-Encapsulate Diodes

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MBRF3050CT 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.75 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向电流：	5000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE

MBRF3050CT 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Diodes

MBRF3030, 35, 40, 45, 50CT

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

TO-220F

1. ANODE

2. CATHODE

3. ANODE

FEATURES

z Schottky Barrier Chip

z Guard Ring Die Construction for Transient Protection

z Low Power Loss,High Efficiency

z High Surge Capability

z High Current Capability and Low Forward Voltage Drop

z For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,Free Wheeling,

and Polarity Protection Applications

MAXIMUM RATINGS ( T_a=25℃ unless otherwise noted )

Value

Unit

Symbol

Parameter

MBRF30

30CT

35CT

40CT

45CT

50CT

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

V_R(RMS)

I_O

RMS reverse voltage

24.5

31.5

Average rectified output current

Non-Repetitive peak forward surge current

8.3ms half sine wave

I_FSM

200

P_D

R_ΘJA

T_j

Power dissipation

℃/W

℃

Thermal resistance from junction to ambient

Junction temperature

125

T_stg

Storage temperature

-55~+150

℃

B,Apr,2013

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