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MBRF3060CT

更新时间： 2024-01-06 23:08:28

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描述
TO-220F Plastic-Encapsulate Diodes

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MBRF3060CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.77 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	1000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBRF3060CT 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

TO-220F Plastic-Encapsulate Diodes

MBRF3060CT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

TO-220F

FEATURES

1. ANODE

2. CATHODE

3. ANODE

z Schottky Barrier Chip

z Guard Ring Die Construction for Transient Protection

z Low Power Loss,High Efficiency

z High Surge Capability

z High Current Capability and Low Forward Voltage Drop

z For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,Free Wheeling,

and Polarity Protection Applications

MAXIMUM RATINGS ( T_a=25℃ unless otherwise noted )

Symbol

V_RRM

V_RWM

V_R

Parameter

Value

Unit

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

V_R(RMS)

I_O

RMS reverse voltage

Average rectified output current

Non-Repetitive peak forward surge current

8.3ms half sine wave

I_FSM

200

P_D

R_ΘJA

T_j

Power dissipation

℃/W

℃

Thermal resistance from junction to ambient

Junction temperature

125

T_stg

Storage temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

Reverse voltage

I_R=1mA

Reverse current

V_R=60V

0.2

0.8

V_F1

I_F=15A

Forward voltage

V_F2*

C_tot*

I_F=30A

0.95

Typical total capacitance

V_R=4V,f=1MHz

400

*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.

B,Apr,2013

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